根據《koreajoongangdaily》報導，儘管美國對中國半導體產業的管制愈收愈緊，三星電子與SK海力士這兩家韓國記憶體大廠，卻在2025年同步對中國境內的「老舊」晶圓廠砸下重金。三星西安廠增資4,654億韓元（約3.34億美元），較前一年激增68%；SK海力士更在無錫與大連廠投入超過1兆韓元，年增率分別達到102%與52%。這些數字背後藏著一個反直覺的訊號：傳統記憶體的賺錢效應，正在逆勢壓倒地緣政治的干擾。
40%產能動不了：西安與無錫廠的關鍵地位
根據報導揭露的產能結構，三星西安廠區占其NAND快閃記憶體總產量的40%，SK海力士無錫廠則負責其DRAM總產量的40%，大連廠也供應30%的NAND產量。這組數據背後的意思很直接——這兩家韓廠在中國的產能比重，已經大到「不能說撤就撤」。
從半導體廠房的折舊與投產週期來看，這些中國廠區多數是在前幾波景氣循環中建置完成的，設備攤提早已進入尾聲，生產成本遠低於新建的美國或韓國廠房。換句話說，這些舊廠不只是產能據點，更是兩家公司維持成本競爭力的「護城河」。即便美國在2025年取消了它們的「認證最終用戶」（Validated End-User, VEU）資格，迫使每年都得重新申請設備進口許可，三星與SK海力士仍選擇繼續押注，顯然是算過這筆帳的。
從產業面來看，韓國業者的盤算很清楚：舊廠折舊完畢後的現金流貢獻太誘人，即便每年多花行政成本去跑VEU許可，也比在美國或韓國從零建廠來得划算。但這個策略的最大變數，不在美國商務部，而在於中國本土設備何時能真正填補關鍵機台的缺口——一旦中國製設備通過驗證，這兩家韓廠反而可能成為美國制裁網下的「例外」。
禁令之下照樣擴產：VEU取消後的生存法則
VEU資格的取消，理論上會讓半導體設備進口中斷，但實際上兩家公司的投資金額不減反增。SK海力士大連二廠已於今年恢復建設，預計明年投產，每月將新增4萬至6萬片晶圓產能，等於該廠區總產能一口氣提升50%。這個擴產幅度，完全不像一家被制裁陰影籠罩的公司會做的事。
報導中提到一個關鍵傳聞：三星與SK海力士已投入兩年時間測試中國製造的設備，以避免違反美國出口禁令——雖然兩家公司都否認，但這個傳聞本身反映出來的現實是：韓國記憶體廠正在為「後VEU時代」鋪設備援方案。更精確地說，它們不是在對抗美國禁令，而是在「合規的邊界內」尋找最大化產能與獲利的數學解。
從投資用途來看，三星的西安廠增資主要用於生產線升級，而非單純擴充產能；SK海力士則在無錫廠投入5,810億韓元、大連廠4,406億韓元，分別較2024年成長102%與52%。這些資金不是用來跟美國硬槓，而是用來把既有產線的生產效率與良率拉到最高，確保每片晶圓都能榨出最大利潤。
傳統DRAM與NAND的回潮：HBM熱潮下的另類贏家
這一波投資加碼的另一個關鍵驅力，來自產品結構的價格變動。報導中分析師指出，傳統DRAM和NAND晶片價格上漲幅度，甚至超過高頻寬記憶體（HBM），這促使部分生產線回歸傳統DRAM以提升獲利。這句話直接點破了市場的盲點。
過去兩年，市場目光幾乎全部聚焦在HBM，尤其是AI訓練所需的極高頻寬記憶體，讓三星、SK海力士與美光爭相擴產。但當HBM供給逐步跟上、價格漲幅趨緩的同時，伺服器與PC端對傳統DDR4、DDR5 DRAM以及主流NAND SSD的需求卻穩定回升——這些產品的單價漲幅雖然不如HBM驚人，但因為產能基數龐大，對營收與毛利的貢獻反而更顯著。
說穿了，HBM是面子，傳統記憶體才是裡子。SK海力士大連廠擴產50%的決策，就是為了抓住這波傳統NAND的價格修復行情。而三星的態度則相對保守，報導指出三星預期其晶圓產能要到2028年之後才能有顯著增長——這個時間差，或許反映了兩家公司在中國投資報酬率計算上的不同假設。
資料來源：koreajoongangdaily，商傳媒彙整
三星的華盛頓變陣：從補貼遊說轉向AI與6G
在加大中國投資的同時，三星在美國的遊說策略也出現明顯轉向。根據《BigGo Finance》報導，三星電子美國分公司已於本月23日向美國國會提交遊說活動報告，關注點從過往的半導體補貼與貿易，擴展至人工智慧（AI）、資料中心電網及6G等新興領域。這項轉變發生在去年年中，恰好與ChatGPT引爆生成式AI熱潮的時間點重疊。
值得注意的是，三星不僅將AI相關政策獨立列為遊說議程，還在今年第二季新增了針對資料中心電網與能源法案的遊說項目，並將「智慧財產權政策」納入考量。這個動作釋放了一個清楚的信號：三星在華盛頓的劇本，已經從「爭取補貼」切換到「參與規則制定」。與其排隊等晶片補助，不如直接影響AI基礎設施與能源政策的遊戲規則——這才是更高層級的生存策略。
不過，遊說範圍雖然擴大，今年上半年三星的遊說支出總計266萬美元，反而較去年同期下降約7.0%。這組數據的解讀空間很有趣：要嘛是三星認為既有遊說網絡已經夠用，不需要追加預算；要嘛是資源被重新配置到更有實質意義的技術布局上。我傾向於後者——在華盛頓，花錢不一定能解決問題，但選對戰場絕對可以。
資料來源：BigGo Finance，三星美國分公司遊說報告
不想被美國掐住，也不想跟中國斷開：韓廠的鋼索策略
把這幾條線索串起來看，三星與SK海力士的中國策略其實是一個「雙面下注」的經典樣本。一方面，它們用舊廠的現金流來支撐全球產能，不輕易放棄中國這個全球最大的記憶體消費市場；另一方面，它們在美國的政治布局從防守轉為進攻，不再只求豁免，而是直接參與AI時代的規則制定。
但這個策略能走多遠，最終還是要看兩個變數：第一，美國對VEU許可的審查會不會從「每年換證」變成「實質凍結」；第二，中國本土半導體設備的成熟速度，是否能讓韓廠在關鍵製程上找到替代方案。如果這兩個條件同時惡化，那40%的產能占比反而會變成「人質」，而不是護城河。
從投資人的角度來看，記憶體大廠的中國舊廠擴產，短期內對獲利絕對是加分項——折舊低、價格好、需求穩。但中長期風險是，一旦美國收緊對中國半導體設備的管制，這些擴產投資可能面臨設備斷供的窘境。三星預期產能要到2028年才有顯著增長，這個時間點或許已經把政策風險考慮進去了。
數據背後的啟示
回到最根本的問題：一家跨國半導體公司，在中美科技戰的夾縫中，為什麼選擇加碼而不是撤退？數據給出的答案是——因為舊廠的經濟效益，暫時壓過了地緣政治的風險貼水。三星與SK海力士在中國的投資年增率分別為68%與102%，這不是政治表態，這是一道算得出來的財務題。
但這道題的解題環境正在快速改變。美國的VEU機制從「長期豁免」轉為「年度許可」，本質上是把控制權收回手上；而中國製設備的驗證傳聞雖然被否認，卻暗示了韓廠正在為「美國設備斷供」這個極端情境預作準備。未來兩年，這兩家公司的中國產能能不能真正開出來，看的不是它們自己的投資意願，而是美國商務部每年發不發那張許可證。
對台灣的半導體產業來說，這個案例的啟示很清楚：在全球供應鏈重組的過程中，「產能占比」不等於「談判籌碼」，關鍵在於你有沒有不可取代的技術位階。三星與SK海力士在中國的40%產能，如果沒有美國設備的持續支援，轉眼就會變成40%的閒置產能。這不是唱衰，這是提醒——半導體競賽的最終裁判，還是技術自主的深度。
編輯觀點：從三星與SK海力士的中國投資布局來看，記憶體產業正在進入一個「高獲利、高風險」的扭曲狀態。傳統DRAM與NAND的價格回升，確實讓舊廠折舊完畢的生產線變成印鈔機，但這台印鈔機的開關，現在掌握在美國商務部每年一次的許可審查手上。我認為接下來12個月最值得關注的，不是兩家韓廠擴了多少產能，而是美國會不會把VEU許可從「程序性審查」升級為「實質性審查」——那才是真正改變賽局的轉折點。對台灣記憶體相關供應鏈來說，現在是時候重新檢視客戶集中度風險了。
行動呼籲：如果你是一家台灣半導體設備或材料供應商的決策者，現在該問自己的不是「三星和SK海力士在中國擴廠對我有沒有訂單挹注」，而是「萬一這些中國廠區的設備進口中斷，我的客戶會轉單到韓國或美國廠，還是直接砍單？」建議優先檢視前三大客戶的中國產能占比，並模擬VEU許可中斷三個月、六個月、十二個月的情境應變計畫。這不是杞人憂天，這是風險管理的基本功。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由Yahoo奇摩新聞發布。
常見問題 FAQ
三星和SK海力士為什麼不怕美國禁令，還敢加碼投資中國舊廠？
因為這些中國舊廠的設備折舊已經完成，生產成本極低，加上傳統DRAM和NAND價格回升，短期獲利誘因壓過了地緣政治風險。只要美國每年核發VEU許可，這筆投資就是穩賺不賠的生意。
VEU資格被取消後，三星和SK海力士要怎麼進口半導體設備到中國？
它們現在必須每年向美國商務部申請一次性許可，才能為中國廠區進口受管制的高科技晶片設備。這讓過去的長期豁免變成年度關卡，增加了營運的不確定性，但目前尚未出現實質的設備中斷。
三星在美國的遊說策略轉向AI和6G，對台灣產業有什麼影響？
這代表三星不再只依賴半導體補貼，而是積極參與AI基礎設施與能源政策的規則制定。台灣業者在AI伺服器、散熱、先進封裝等領域有競爭優勢，應密切關注美國政策走向，避免在遊說資源配置上落後國際大廠。
SK海力士大連廠擴產50%，會影響全球NAND價格嗎？
新增產能預計在明年投產，每月增加4萬至6萬片晶圓，短期內對供給面的衝擊有限。但如果傳統NAND價格持續上漲，這批新產能反而會成為價格的緩衝閥，抑制漲幅過快。
台灣半導體廠商該怎麼解讀韓廠的中國布局？
關鍵啟示是：產能占比不等於談判籌碼。台灣業者應趁這波記憶體景氣回升時，加速技術節點的推進與客戶結構的分散，避免過度集中於特定區域或特定客戶，才能在中美科技戰的長期結構中保有主動權。
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