半導體自主化是中國近十年來最燒錢也最受矚目的國家級戰略，但成效如何始終像隔著一層霧。高盛集團（Goldman Sachs）最新發布的報告，終於給了市場一組具體的數字：中國7奈米及以下先進製程晶圓的自給率，將從2025年的8%一路飆升至2035年的66%。這個數字背後，是中國每年數百億美元的資本支出、中芯國際（SMIC）的產能大擴張，以及EUV曝光機至今仍被卡住脖子的事實。
數字會說話：92%的短缺缺口，十年後縮到34%
高盛的運算邏輯其實很直接。他們預估到2035年，中國對先進製程晶圓的月需求量將達到61.9萬片，而本土供應量則有機會拉高到41萬片。換句話說，供需缺口從2025年的92%降至2035年的34%。這當中的年均複合成長率，供給端是驚人的46%，需求端則是17%。
為什麼供給成長速度遠超需求？理由不難理解：中國正在用「人海戰術」式的資本投入硬扛先進製程。高盛將中國半導體產業2030年的資本支出預測上調至820億美元，比一年前的預測值大幅調升了79%。這筆錢主要流向兩個方向，一是AI伺服器驅動的先進晶圓需求，年均成長率預估達42%；二是中芯國際為首的代工廠產能建置。
- 中芯國際產能路線圖：2026至2031年間，每年新增月產能3萬至5萬片；2032至2035年間，每年再追加2萬片。
- 良率曲線：從2026年的23%提升至2030年的50%，2035年進一步達75%。
- 對照組：台積電7奈米製程良率已超過90%。
中芯國際的「良率障礙」與華為的突圍
說到良率，這是整份報告裡最值得玩味的一組數字。中芯國際在2023年突破美國設備出口管制，成功為華為生產7奈米級晶片——這件事當時震撼了整個半導體圈。但「做得出來」和「做得划算」是兩碼事。23%的良率意味著將近八成的晶圓是報廢品，成本結構完全不具商業競爭力。即使到了2035年達到75%的預估水準，依然落後台積電目前的90%以上。
話說回來，良率差距的根源其實不難找。高盛報告點出了一個關鍵痛點：曝光機仍然是中國半導體自主化最大的那塊絆腳石。DUV（深紫外線）曝光機高度依賴荷蘭艾司摩爾（ASML），而EUV（極紫外線）曝光機則因為美國出口管制幾乎無法取得。沒有EUV，就無法量產5奈米以下更先進的製程，也難以在良率上追趕國際水準。這不只是技術問題，更是地緣政治問題。
編輯觀點：從產業面來看，高盛這份報告其實透露了一個更殘酷的現實——66%的自給率是用「量」堆出來的，不是用「質」。中國在成熟製程的產能擴張確實驚人，整體半導體生產自給率已從2010年的38%拉高到2026年的約70%，但如果用「金額」來算，自給率依然偏低。這意味著中國生產的大多是單價低的成熟晶片，高單價的先進晶片還是得乖乖跟三星、SK海力士、台積電買。說穿了，自主化是一回事，賺不賺錢又是另一回事。
DRAM戰場：長鑫儲存的產能躍進，技術卻在原地踏步
先進製程之外，記憶體晶片是另一個值得關注的戰場。中國最大DRAM業者長鑫儲存（CXMT）的產能擴張速度同樣驚人。根據高盛預估，長鑫儲存的月產能將從2026年的27萬片晶圓，擴大到2028年的44.7萬片，2030年進一步達到66.5萬片。以這個產能規模來看，長鑫儲存預計在2028年就能滿足中國約50%的DRAM需求，以及40%的高頻寬記憶體（HBM）需求。
不過，產能數字漂亮是一回事，技術差距又是另一回事。長鑫儲存在合肥設有兩座、北京設有一座12吋DRAM晶圓廠，每座月產能約10萬片，未來上海、合肥、北京的新廠如果全面投入，總產能還能再翻一倍。但問題在於，長鑫儲存與三星電子、SK海力士的技術差距短期內難以縮短。原因跟中芯國際一樣：EUV設備取得受阻，在先進DRAM和HBM技術上只能看著對手越跑越遠。高盛因此評估，中國在先進記憶體領域仍將維持對海外龍頭的依賴，三星和SK海力士在中國市場的業務空間依然穩固。
展望與影響：66%是天花板，還是中途站？
高盛這份報告給出的66%自給率預測，其實隱含了一個重要前提：美國的出口管制不會再進一步收緊。但從過去兩年的經驗來看，這個假設的風險正在上升。如果美國在2027年之後進一步擴大設備管制範圍，或者將更多中國半導體企業列入實體清單，中芯國際和長鑫儲存的產能擴張計畫都可能被迫修正。
對台灣讀者來說，這份報告最直接的啟示或許是：台積電的技術領先優勢不會在短期內被撼動，但時間壓力正在浮現。中國用十年時間把自給率從8%拉到66%，這條曲線雖然陡峭，但背後是每年超過800億美元的資本消耗。這種燒錢速度能撐多久？良率差距能在EUV被卡死的情況下縮小多少？這些問題的答案，將決定全球半導體版圖在2035年重新洗牌的程度。
說到底，半導體自主化從來不只是技術問題，而是資源、時間與地緣政治的綜合賽局。高盛的數字給了市場一個明確的方向感，但真正的關鍵變數——美國的政策走向、EUV的出口許可、以及中芯國際良率改善的實際速度——都還在未定之天。你覺得十年後的中國半導體，會是今天預測的這個樣子嗎？
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
中國先進半導體自給率從8%提升到66%，這個數字可信嗎？
這是高盛集團根據中芯國際產能擴張計畫、資本支出預測及需求模型所做出的預估，並非官方數據，但高盛在半導體產業分析上具有相當的公信力，市場普遍將其視為重要參考指標。
中芯國際的良率什麼時候可以追上台積電？
根據高盛預測，中芯國際先進製程良率將從2026年的23%提升至2035年的75%，但台積電7奈米良率早已超過90%，且台積電持續推進更先進製程，中芯國際在缺乏EUV設備的情況下，短期內難以縮短差距。
中國半導體自主化最大的瓶頸是什麼？
最大的瓶頸是曝光機設備，特別是EUV極紫外線曝光機，因美國出口管制幾乎無法取得，這直接限制了中國在先進製程和DRAM技術上的突破能力，也導致良率與國際龍頭廠商存在顯著落差。
長鑫儲存的DRAM產能擴張會影響全球記憶體市場嗎？
長鑫儲存月產能預計從2026年的27萬片擴大到2030年的66.5萬片，產能確實可觀，但因技術仍落後三星和SK海力士，短期內主要滿足中國內需市場，對全球價格和市占格局的影響仍然有限。
美國出口管制未來會進一步收緊嗎？
這是高盛報告中最大的不確定因素。如果美國在2027年後擴大設備管制範圍，中芯國際和長鑫儲存的產能擴張計畫都可能被迫修正，66%的自給率預測也需要重新評估。
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