中國傳出開始生產自研的浸潤式深紫外光曝光機（DUV），這項晶片製造關鍵設備長期由荷蘭供應商艾司摩爾（ASML）主導。消息傳出後，ASML股價應聲下跌4.6%，其他美股半導體公司如應用材料（Applied Materials）、科林研發（Lam Research）及科磊（KLA）公司也分別下跌4%、4.3%及3.5%。
中美科技競爭加劇，DUV成為焦點
中國自研DUV曝光機的突破，標誌著其在半導體產業供應鏈自主化的重大進展。雖然目前產量有限，預計今年初期產量僅約5台，但2027年可能增至約20台。首批系統預計年內交付中國主要晶片製造商，包括中芯國際、華虹半導體及長鑫科技。
這項技術的突破，雖然在曝光精度、穩定性、產能與良率方面仍落後艾司摩爾，但對於中國降低對海外先進晶片設備的依賴具有重要意義。然而，DUV的突破並不意味著中國已掌握極紫外光（EUV）技術，中國國產EUV設備目前仍處於原型機階段。
從產業面來看，中國自研DUV曝光機的投入生產，雖然在短期內不會對全球半導體市場造成巨大影響，但長期而言，將加速中國半導體產業的自主發展，增加國際市場的競爭壓力。對於投資者而言，需密切關注中國半導體技術的進展及其對市場的影響。
美股晶片股反應冷淡，道瓊指數微幅上漲
在中國自研DUV曝光機的消息影響下，美股晶片股普遍走低。道瓊工業指數上漲262點，收在52210點；那斯達克指數下跌43點，收在24932點；S&P500指數上漲1.2點，收在7413點；費城半導體指數下跌264點，收在11554點。
科技五大巨頭中，蘋果上漲1.17%，收336.91美元；Meta微跌0.22%，收593.87美元；Alphabet上漲2.34%，收326.57美元；亞馬遜跌0.31%，收231.39美元；微軟下跌1.94%，收389.10美元。其餘個股方面，輝達下跌4.99%；AMD下跌5.17%；博通上漲0.34%；美光下跌2.25%。
台股ADR表現分化，台積電ADR下跌1.07%
台股ADR方面，台積電ADR下跌1.07%；聯電ADR下跌2.05%；日月光ADR下跌0.79%；中華電信ADR上漲0.77%。台積電近期財報表現亮眼，營收與獲利雙雙刷新歷史紀錄，並將全年營收成長預估上調至40%以上。然而，財報公布後股價卻意外重挫，拖累輝達、美光等AI概念股集體跳水。
- 台積電ADR下跌1.07%
- 聯電ADR下跌2.05%
- 日月光ADR下跌0.79%
- 中華電信ADR上漲0.77%
專家分析，主因在於市場擔憂台積電大幅調升資本支出至640億美元，加上大規模擴建美國亞利桑那州廠，將嚴重壓縮短期自由現金流。此外，隨著2奈米製程量產，折舊費用激增與海外擴廠帶來的毛利率稀釋效應，讓投資人開始審慎評估AI投資的真實回報。
展望與影響
中國自研DUV曝光機的投入生產，將對全球半導體產業產生深遠影響。短期內，市場可能會持續關注中國半導體技術的進展，以及國際半導體公司的反應。長期而言，中國半導體產業的自主發展將增加國際市場的竞争压力，迫使國際企業加快技术创新和市场布局。
投資者應密切關注相關動態，並評估自身投資策略。對於普通投資者而言，建議保持謹慎態度，關注市場消息，並在必要時諮詢專業人士。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由Yahoo奇摩新聞發布。
常見問題 FAQ
中國自研DUV曝光機的意義是什麼？
中國自研DUV曝光機的意義在於降低對海外先進晶片設備的依賴，推動半導體產業的自主發展。這標誌著中國在半導體供應鏈上的重大進步。
美股晶片股為何下跌？
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