近期市場傳出，台達電與全球功率半導體領導廠商英飛凌正深化合作，合作範圍有望擴展至碳化矽（SiC）等關鍵功率元件。此消息引發市場對台達在下一代 AI 資料中心電力基礎設施布局的高度關注。
碳化矽：AI 資料中心的關鍵技術
隨著 AI 資料中心機櫃功率不斷攀升，800V 高壓直流（HVDC）逐漸成為新一代供電架構的主流方向。未來，固態變壓器（SST）也將成為重要的技術演進方向。相較於傳統矽（Si）功率元件，碳化矽具有耐高壓、高效率及低損耗等優點，能夠顯著提升中高壓電力轉換效率，因此被視為 800V HVDC 及 SST 的核心功率元件之一，也是支撐未來 MW 等級 AI 資料中心的重要技術。
英飛凌作為全球主要功率半導體供應商之一，在矽（MOSFET）、氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等功率元件方面擁有完整的產品線。其產品廣泛應用於 AI 資料中心、工業自動化、再生能源及電動車等領域。近年來，隨著 AI 電力需求的迅速增長，英飛凌積極投入高效率電源管理和高功率密度解決方案的研發，成為全球 AI 電源供應鏈的重要參與者。
雙方合作的成果
去年，英飛凌宣布與台達共同開發 AI 資料中心高功率密度垂直供電（Vertical Power Delivery，VPD）模組。該模組結合了英飛凌 OptiMO MOSFET 晶片與嵌入式封裝技術，以及台達在電源模組設計與製造方面的專業能力，成功打造出高效率、高功率密度的電源解決方案。英飛凌表示，雙方將繼續合作開發可支持未來 MW 等級 AI 機櫃的新一代供電架構。
值得一提的是，台達近年來一直積極布局 SST 技術。台達總裁張訓海在今年的 GTC 2026 大會上表示，公司早已投入 SST 研發，目前正積極推動 800V 電源架構，預計 SST 技術最早將於 2027 年迎來市場爆發。
從產業面來看，台達電與英飛凌的合作不僅有助於雙方在碳化矽技術上的突破，更為 AI 資料中心的高效能電力供應提供了強有力的支持。碳化矽的應用將大幅提高電力轉換效率，降低能源損耗，對於實現綠色數據中心具有重要意義。
市場前景與影響
市場普遍認為，若台達與英飛凌的合作進一步深化至碳化矽領域，將有助於台達在 SST 與下一代 AI 電力基礎設施所需的關鍵功率元件上取得更大進展。這不僅將提升台達在全球 AI 資料中心市場的競爭力，也有助於推動整個產業向更高效率、更低能耗的方向發展。
隨著 AI 資料中心的不斷擴張，高壓直流和固態變壓器技術的需求將日益增加。碳化矽作為核心功率元件，其市場潛力巨大。台達電與英飛凌的合作無疑將為這一波技術革新注入新的動力。
若您對 AI 資料中心的電力基礎設施有興趣，不妨深入了解台達電與英飛凌的最新合作動態，這將有助於您把握未來市場的發展機會。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
碳化矽（SiC）有哪些優點？
碳化矽具有耐高壓、高效率及低損耗等優點，能夠顯著提升中高壓電力轉換效率，特別適合應用於 800V 高壓直流（HVDC）及固態變壓器（SST）等高功率密度的電力系統。
台達電與英飛凌的合作重點是什麼？
台達電與英飛凌的合作重點在於共同開發 AI 資料中心高功率密度垂直供電（VPD）模組，利用英飛凌的 OptiMO MOSFET 晶片與嵌入式封裝技術，結合台達在電源模組設計與製造的能力，打造高效率、高功率密度的電源解決方案。
固態變壓器（SST）的市場前景如何？
固態變壓器（SST）的市場前景非常廣闊。隨著 AI 資料中心的不斷擴張，對高效率、低能耗的電力系統需求日益增加。SST 技術預計最早將於 2027 年迎來市場爆發，成為下一代 AI 資料中心的重要技術。
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